| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.46 EUR |
| 10+ | 2.87 EUR |
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Technische Details CPC3960ZTR IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.1A; 1.8W; SOT223, Case: SOT223, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: depletion, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 44Ω, Power dissipation: 1.8W, Polarisation: unipolar, Drain current: 0.1A.
Weitere Produktangebote CPC3960ZTR nach Preis ab 2.92 EUR bis 4.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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CPC3960ZTR | IXYS Integrated Circuits Division |
 Description: MOSFET N-CH 600V SOT223 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CPC3960ZTR | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.1A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 44Ω Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Drain current: 0.1A |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CPC3960ZTR |
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Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division
Description: MOSFET N-CH 600V SOT223
Description: MOSFET N-CH 600V SOT223
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.55 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| CPC3960ZTR |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.1A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 44Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.1A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 44Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
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