CPH3355-TL-H onsemi
Hersteller: onsemi
Description: CPH3355 - SINGLE P-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-CPH
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
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Technische Details CPH3355-TL-H onsemi
Description: ONSEMI - CPH3355-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.156 ohm, CPH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote CPH3355-TL-H nach Preis ab 0.31 EUR bis 0.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| CPH3355-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3355-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.156 ohm, CPH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 170718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CPH3355-TL-H |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3355-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.156 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CPH3355-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.156 ohm, CPH, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
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Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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|---|---|
| 6000+ | 0.31 EUR |