| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 1.38 EUR |
| 18+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
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Technische Details CPH5517-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 900mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-346, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 900mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote CPH5517-TL-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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CPH5517-TL-E | ON Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V |
auf Bestellung 6961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CPH5517-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 900mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 900mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CPH5517-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 900mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 900mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CPH5517-TL-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V
auf Bestellung 6961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| CPH5517-TL-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
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Verlustleistung, NPN: 900mW
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| CPH5517-TL-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
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SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
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DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
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usEccn: EAR99
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DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
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Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 895 Stücke:
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