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| Anzahl | Preis |
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| 18+ | 1.02 EUR |
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| 500+ | 0.62 EUR |
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Technische Details CPH5517-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 900mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-346, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 900mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote CPH5517-TL-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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CPH5517-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V |
auf Bestellung 6961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CPH5517-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 900mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 900mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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CPH5517-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 900mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 900mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CPH5517-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 900mW 5-Pin CPH T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CPH5517-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH |
Produkt ist nicht verfügbar |