CPH5871-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - CPH5871-TL-H - Leistungs-MOSFET, mit Schottky-Diode, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.04 ohm, SOT-25, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: SOT-25, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).