CSD16570Q5BT . TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25, Dauer-Drainstrom Id: 100, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 195, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5, Verlustleistung: 195, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 490, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 85, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).