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CSD17313Q2

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Produktcode: 126922
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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CSD17313Q2 CSD17313Q2 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.3 EUR
15000+0.29 EUR
21000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 CSD17313Q2 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.69 EUR
368+0.46 EUR
372+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 CSD17313Q2 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.71 EUR
354+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 CSD17313Q2 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.71 EUR
354+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 CSD17313Q2 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.05 EUR
247+0.68 EUR
253+0.64 EUR
368+0.43 EUR
372+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 CSD17313Q2 Texas Instruments TexasInstruments.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 CSD17313Q2 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+1.32 EUR
235+0.99 EUR
331+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 CSD17313Q2 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+1.32 EUR
235+0.99 EUR
331+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 CSD17313Q2 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T
auf Bestellung 14516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 CSD17313Q2 Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 23101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.3 EUR
15000+0.29 EUR
21000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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CSD17313Q2
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
253+0.69 EUR
368+0.46 EUR
372+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
243+0.71 EUR
354+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
243+0.71 EUR
354+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+1.05 EUR
247+0.68 EUR
253+0.64 EUR
368+0.43 EUR
372+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 TexasInstruments.pdf
CSD17313Q2
Hersteller: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+1.32 EUR
235+0.99 EUR
331+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+1.32 EUR
235+0.99 EUR
331+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2
Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T
auf Bestellung 14516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 23101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH