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Technische Details CSD17313Q2Q1T Texas Instruments
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: NexFET™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 5A, Pulsed drain current: 57A, Power dissipation: 17W, Case: WSON6, Gate-source voltage: -8...10V, On-state resistance: 42mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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CSD17313Q2Q1T | Hersteller : Texas Instruments |
 MOSFET Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0 |
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| CSD17313Q2Q1T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Pulsed drain current: 57A Power dissipation: 17W Case: WSON6 Gate-source voltage: -8...10V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| CSD17313Q2Q1T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Pulsed drain current: 57A Power dissipation: 17W Case: WSON6 Gate-source voltage: -8...10V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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