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CSD18535KCS

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CSD18535KCS CSD18535KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.64 EUR
28+3.15 EUR
50+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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CSD18535KCS CSD18535KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535kcs Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 2753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.95 EUR
50+3.53 EUR
100+3.2 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.43 EUR
2000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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CSD18535KCS CSD18535KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535kcs MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+4.63 EUR
100+3.67 EUR
500+3.2 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.81 EUR
5000+2.75 EUR
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CSD18535KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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CSD18535KCS
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
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100+3.2 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.43 EUR
2000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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CSD18535KCS
Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.39 EUR
10+4.63 EUR
100+3.67 EUR
500+3.2 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.81 EUR
5000+2.75 EUR
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