CSD18535KTT Texas Instruments
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.2 EUR |
| 10+ | 4.74 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
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Technische Details CSD18535KTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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CSD18535KTT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CSD18535KTT | Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CSD18535KTT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CSD18535KTT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
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CSD18535KTT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
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| CSD18535KTT |
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
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