CSD18535KTTT Texas Instruments
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CSD18535KTTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote CSD18535KTTT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD18535KTTT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
CSD18535KTTT | Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
CSD18535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
CSD18535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 279 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
CSD18535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 279 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
CSD18535KTTT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
CSD18535KTTT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CSD18535KTTT |
|
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CSD18535KTTT |
|
Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CSD18535KTTT |
|
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CSD18535KTTT |
|
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 279
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 279
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CSD18535KTTT |
|
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 279
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 279
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CSD18535KTTT |
|
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CSD18535KTTT |
|
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH