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CSD18536KCS

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Transistoren > MOSFET N-CH

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CSD18536KCS CSD18536KCS Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
17+4.39 EUR
19+3.8 EUR
25+3.27 EUR
50+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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CSD18536KCS CSD18536KCS Hersteller : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536kcs Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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CSD18536KCS CSD18536KCS Hersteller : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536kcs Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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CSD18536KCS CSD18536KCS Hersteller : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536kcs MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
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