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CSD18537NKCS

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CSD18537NKCS CSD18537NKCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nkcs Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.82 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.73 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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CSD18537NKCS CSD18537NKCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nkcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
68+1.26 EUR
86+1 EUR
100+0.9 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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CSD18537NKCS CSD18537NKCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nkcs MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.59 EUR
100+1.44 EUR
500+1.17 EUR
1000+1 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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CSD18537NKCS CSD18537NKCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nkcs Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
50+1.57 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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CSD18537NKCS
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
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CSD18537NKCS
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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