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CSD19505KCS

CSD19505KCS TEXAS INSTRUMENTS

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
37+1.97 EUR
39+1.87 EUR
500+1.83 EUR
750+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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Technische Details CSD19505KCS TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CSD19505KCS CSD19505KCS Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.02 EUR
10+4.73 EUR
50+3.38 EUR
100+3.06 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.34 EUR
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 40 V
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.02 EUR
50+3.28 EUR
100+2.98 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD19505KCS Hersteller : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 3,8mOhm; 208A; 300W; -55°C ~ 175°C; CSD19505KCS TCSD19505kcs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD19505KCS CSD19505KCS
Produktcode: 113190
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CSD19505KCS CSD19505KCS Hersteller : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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