Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > CSD19505KCS
CSD19505KCS

CSD19505KCS

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs
Produktcode: 113190
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote CSD19505KCS nach Preis ab 2.32 EUR bis 6.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
CSD19505KCS CSD19505KCS Texas Instruments TexasInstruments.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 3,8mOhm; 208A; 300W; -55°C ~ 175°C; CSD19505KCS TCSD19505kcs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KCS CSD19505KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs MOSFETs 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.49 EUR
10+3.59 EUR
100+3.08 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KCS CSD19505KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 40 V
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.81 EUR
50+3.51 EUR
100+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KCS TexasInstruments.pdf
CSD19505KCS
Hersteller: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 3,8mOhm; 208A; 300W; -55°C ~ 175°C; CSD19505KCS TCSD19505kcs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
10+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs
CSD19505KCS
Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+6.49 EUR
10+3.59 EUR
100+3.08 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs
CSD19505KCS
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 40 V
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+6.81 EUR
50+3.51 EUR
100+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

GT1-9820 (тумблер)
Produktcode: 119940
11 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
GT1-9820.jpg
GT1-9820 (тумблер)
Hersteller: Global Tone
Passive Bauelemente > Schalter, Schubschalter, Kippschalter (alle außer Knopf/Tasten)
Gruppe: Тумблери
Ausg. oder SMD : Клеми з отвором
Abmessungen: 13,2x12,7x9,5 mm
Beschreibung: ON-ON, 6 контактів
2
3 A / 250 VAC
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 500 St.:
500 St. - erwartet 30.06.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4N35
Produktcode: 2416
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
4N35-L.pdf
4N35
Hersteller: LTN
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-6
Typ: Fototransistor Optokoppler
U-isol, kV: 3.5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/100
U ausg, V: 30
Ton/Toff, µs: 7/7
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
№ 8: 8541 10 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
1+0.29 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH