CSD19506KCS Texas Instruments
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.12 EUR |
| 50+ | 5.58 EUR |
| 100+ | 5.15 EUR |
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Technische Details CSD19506KCS Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.
Weitere Produktangebote CSD19506KCS nach Preis ab 5.01 EUR bis 12.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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CSD19506KCS | Texas Instruments |
MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T |
auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD19506KCS | Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,8mOhm; 273A; 375W; -55°C ~ 175°C; CSD19506KCS TCSD19506kcsAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19506KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2000 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19506KCS | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CSD19506KCS |
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T
MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.16 EUR |
| 10+ | 8.13 EUR |
| 100+ | 6.58 EUR |
| 500+ | 5.84 EUR |
| 1000+ | 5.01 EUR |
| CSD19506KCS |
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Hersteller: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,8mOhm; 273A; 375W; -55°C ~ 175°C; CSD19506KCS TCSD19506kcs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,8mOhm; 273A; 375W; -55°C ~ 175°C; CSD19506KCS TCSD19506kcs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 12.13 EUR |
| CSD19506KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.38 EUR |
| 23+ | 10.42 EUR |
| 25+ | 8.62 EUR |
| 50+ | 6.75 EUR |
| 100+ | 6.53 EUR |
| 250+ | 6.34 EUR |
| CSD19506KCS |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



