CSD19531Q5AT Texas Instruments
Hersteller: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 250+ | 2.30 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
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Technische Details CSD19531Q5AT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0053 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD19531Q5AT nach Preis ab 1.55 EUR bis 4.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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CSD19531Q5AT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Technology: NexFET™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19531Q5AT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Technology: NexFET™ |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19531Q5AT | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 100V 5.3mOhm NexFET Power MOSFET A 595-CSD19531Q5A |
auf Bestellung 10537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD19531Q5AT | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD19531Q5AT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0053 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19531Q5AT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0053 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19531Q5AT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19531Q5AT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD19531Q5AT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
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