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CSD19533Q5A Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.09 EUR
5000+1.02 EUR
7500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details CSD19533Q5A Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 3.2W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm.

Weitere Produktangebote CSD19533Q5A nach Preis ab 1.01 EUR bis 4.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CSD19533Q5A CSD19533Q5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.11 EUR
5000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19533Q5A CSD19533Q5A TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19533Q5A CSD19533Q5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
auf Bestellung 12048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.46 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19533Q5A CSD19533Q5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a MOSFETs 100V 7.8mOhm N-CH Pw r MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD19533Q5AT
auf Bestellung 10278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.11 EUR
10+2.53 EUR
100+1.8 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19533Q5A CSD19533Q5A TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
86+2.71 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.11 EUR
5000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.71 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V
auf Bestellung 12048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.88 EUR
10+2.46 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 100V 7.8mOhm N-CH Pw r MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD19533Q5AT
auf Bestellung 10278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.11 EUR
10+2.53 EUR
100+1.8 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19533Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.65 EUR
86+2.71 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH