CSD19534KCS Texas Instruments
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Technische Details CSD19534KCS Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD19534KCS nach Preis ab 0.92 EUR bis 3.71 EUR
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CSD19534KCS | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 118W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD19534KCS | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 118W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
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CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V |
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CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET |
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CSD19534KCS | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C; CSD19534KCS TCSD19534kcs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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