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CSD19534KCS

CSD19534KCS TEXAS INSTRUMENTS

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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+2.46 EUR
45+1.93 EUR
52+1.67 EUR
63+1.36 EUR
72+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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Technische Details CSD19534KCS TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 118W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm.

Weitere Produktangebote CSD19534KCS nach Preis ab 0.98 EUR bis 4.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CSD19534KCS CSD19534KCS Texas Instruments TexasInstruments.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C; CSD19534KCS TCSD19534kcs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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CSD19534KCS CSD19534KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
50+1.75 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+1.77 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.06 EUR
2500+1.05 EUR
5000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19534KCS CSD19534KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
118+1.98 EUR
132+1.63 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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CSD19534KCS
Hersteller: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C; CSD19534KCS TCSD19534kcs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
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500+1.26 EUR
1000+1.06 EUR
2500+1.05 EUR
5000+0.98 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
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AnzahlPrivatkunde
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118+1.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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