CSD19534KCS Texas Instruments
Hersteller: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.04 EUR |
| 50+ | 1.47 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
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Technische Details CSD19534KCS Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220AB-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD19534KCS nach Preis ab 0.82 EUR bis 3.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C; CSD19534KCS TCSD19534kcs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD19534KCS | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220AB-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD19534KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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