CSD19536KCS


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Produktcode: 171204
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CSD19536KCS CSD19536KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Power dissipation: 375W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.62 EUR
16+5.5 EUR
20+4.28 EUR
25+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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CSD19536KCS CSD19536KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.34 EUR
10+5.4 EUR
100+4.93 EUR
500+4.19 EUR
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CSD19536KCS CSD19536KCS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 7549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.14 EUR
10+7.41 EUR
50+5.82 EUR
100+5.31 EUR
500+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Power dissipation: 375W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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