CSD19536KCS TEXAS INSTRUMENTS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 2.3mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 100V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 5.49 EUR |
| 16+ | 4.55 EUR |
| 21+ | 3.56 EUR |
| 25+ | 3.45 EUR |
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Technische Details CSD19536KCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote CSD19536KCS nach Preis ab 3.23 EUR bis 8.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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CSD19536KCS | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
auf Bestellung 1683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD19536KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD19536KCS Produktcode: 171204
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| CSD19536KCS | Hersteller : Texas Instruments |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 150, Опис N-канальний ПТ,... Група товару: Транзистори Корпус: TO220-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 520 Stücke: |
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CSD19536KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD19536KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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CSD19536KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CSD19536KCS | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| CSD19536KCS | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFET N-CH 100V TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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