CSD75301W1015 Texas Instruments
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Obsolete
| Anzahl | Preis |
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| 647+ | 0.7 EUR |
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Technische Details CSD75301W1015 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD75301W1015 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.2 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 800mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DSBGA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote CSD75301W1015
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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CSD75301W1015 | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD75301W1015 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.2 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DSBGA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD75301W1015 | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 800mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD75301W1015 | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs P-Ch-Dual Common Source Pwr MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |