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CSD85301Q2T

CSD85301Q2T Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+1.19 EUR
500+1.04 EUR
750+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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Technische Details CSD85301Q2T Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 2.3W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote CSD85301Q2T nach Preis ab 0.9 EUR bis 3.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CSD85301Q2T CSD85301Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2 Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.09 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2T CSD85301Q2T Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2 MOSFETs Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.17 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2T CSD85301Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD85301Q2T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD85301Q2T
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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MOSFETs Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2
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10+2.01 EUR
100+1.17 EUR
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Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD85301Q2T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 7 Stücke:
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