CSD86356Q5DT TEXAS INSTRUMENTS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Technische Details CSD86356Q5DT TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 12W, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD86356Q5DT nach Preis ab 2.43 EUR bis 2.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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CSD86356Q5DT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm Verlustleistung, p-Kanal: 12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 12W Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD86356Q5DT | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET 25V Packaging: Bulk |
auf Bestellung 7250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD86356Q5DT | Hersteller : Texas Instruments |
High Frequency Synchronous Power Module |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD86356Q5DT | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD86356Q5DT | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD86356Q5DT | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 5 mm x 6 mm power block, 40 A 8-VSON-CLIP -55 to 150 |
Produkt ist nicht verfügbar |