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CSD86356Q5DT

CSD86356Q5DT TEXAS INSTRUMENTS

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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7 EUR
48+4.86 EUR
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Technische Details CSD86356Q5DT TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 12W, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86356Q5DT Texas Instruments csd86356q5d.pdf Description: MOSFET 25V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
208+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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CSD86356Q5DT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
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Kanaltyp: n-Kanal
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auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 25V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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