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CSD87312Q3E

CSD87312Q3E Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
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Technische Details CSD87312Q3E Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3), Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CSD87312Q3E CSD87312Q3E Hersteller : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
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