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CSD87503Q3E

CSD87503Q3E Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87503q3e Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 30-V Dual N-Channel MOSFET
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Technische Details CSD87503Q3E Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 15.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3), Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CSD87503Q3E CSD87503Q3E Hersteller : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87503q3e Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
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