CSD88539ND Texas Instruments
Hersteller: Texas Instruments
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 34mOhm; 15A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; CSD88539NDT CSD88539ND TCSD88539nd
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Technische Details CSD88539ND Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote CSD88539ND nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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CSD88539ND | Texas Instruments |
MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD88539ND | Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 1379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD88539ND | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD88539ND | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD88539ND |
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT
MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.92 EUR |
| 10+ | 1.86 EUR |
| 100+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| 2500+ | 0.79 EUR |
| 5000+ | 0.74 EUR |
| CSD88539ND |
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.98 EUR |
| 12+ | 1.88 EUR |
| 100+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| CSD88539ND |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 3.25 EUR |
| 151+ | 1.54 EUR |
| CSD88539ND |
|
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.25 EUR |
| 151+ | 1.54 EUR |