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CUS10F30,H3F

CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.064 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CUS10F30,H3F CUS10F30,H3F Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0EE37070AF86143&compId=CUS10F30.pdf?ci_sign=b9e756c5ea3e2113db019ed407fb80f922388417 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.43V
Max. forward impulse current: 5A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
417+0.17 EUR
463+0.15 EUR
658+0.11 EUR
1137+0.063 EUR
1202+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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CUS10F30,H3F CUS10F30,H3F Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0EE37070AF86143&compId=CUS10F30.pdf?ci_sign=b9e756c5ea3e2113db019ed407fb80f922388417 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.43V
Max. forward impulse current: 5A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 5910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
417+0.17 EUR
463+0.15 EUR
658+0.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 313
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CUS10F30,H3F CUS10F30,H3F Hersteller : Toshiba CUS10F30_datasheet_en_20140414-1916568.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 20A .045V VFM
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100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.053 EUR
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CUS10F30,H3F CUS10F30,H3F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
auf Bestellung 17515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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50+0.35 EUR
80+0.22 EUR
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500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
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CUS10F30,H3F CUS10F30,H3F Hersteller : Toshiba 365docget.jsppidcus10f30langentypedatasheet.jsppidcus10f30langentype.pdf Diode Small Signal Schottky Si 1A 2-Pin USC T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
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CUS10F30,H3F CUS10F30,H3F Hersteller : Toshiba 365docget.jsppidcus10f30langentypedatasheet.jsppidcus10f30langentype.pdf Diode Small Signal Schottky Si 1A 2-Pin USC T/R
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