CY14B104LA-BA25XI Infineon Technologies
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|---|---|
| 1+ | 53.87 EUR |
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Technische Details CY14B104LA-BA25XI Infineon Technologies
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 25ns; FBGA48; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 25ns, Supply voltage: 2.7...3.6V DC, Memory: 4Mb SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Case: FBGA48, Kind of package: in-tray, Kind of memory: NV SRAM, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote CY14B104LA-BA25XI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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CY14B104LA-BA25XI | Hersteller : Cypress Semiconductor Corp |
 Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CY14B104LA-BA25XI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CY14B104LA-BA25XI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 25ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Access time: 25ns Supply voltage: 2.7...3.6V DC Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Case: FBGA48 Kind of package: in-tray Kind of memory: NV SRAM Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
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