CY14B104M-ZSP45XI Infineon Technologies
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Technische Details CY14B104M-ZSP45XI Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 54-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 45 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote CY14B104M-ZSP45XI nach Preis ab 38.11 EUR bis 60.32 EUR
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CY14B104M-ZSP45XI | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP IIPackaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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CY14B104M-ZSP45XI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104M-ZSP45XI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY14B104M-ZSP45XI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
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