Technische Details CY62256NLL70SNXC CYPRESS
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 28-SOIC, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote CY62256NLL70SNXC
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| CY62256NLL-70SNXC | Cypress Semiconductor |
 Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4.5...5.5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 70 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-28 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 27 Stücke |
verfügbar 5 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CY62256NLL-70SNXC |
|
Hersteller: Cypress Semiconductor
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4.5...5.5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 70 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-28 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 27 Stücke
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4.5...5.5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 70 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-28 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 27 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH