CY7C1041G30-10ZSXI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 15.63 EUR |
10+ | 14.37 EUR |
25+ | 14.07 EUR |
40+ | 14.02 EUR |
135+ | 12.58 EUR |
270+ | 12.2 EUR |
540+ | 11.6 EUR |
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Technische Details CY7C1041G30-10ZSXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1041G30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.b, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit.
Weitere Produktangebote CY7C1041G30-10ZSXI nach Preis ab 15.91 EUR bis 22.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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CY7C1041G30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies | SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit |
auf Bestellung 3828 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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CY7C1041G30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray |
auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C1041G30-10ZSXI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1041G30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit |
auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C1041G30-10ZSXI | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Memory: 4Mb SRAM Case: TSOP44 II Mounting: SMD Memory organisation: 256kx16bit Kind of memory: SRAM Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 10ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CY7C1041G30-10ZSXI | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Memory: 4Mb SRAM Case: TSOP44 II Mounting: SMD Memory organisation: 256kx16bit Kind of memory: SRAM Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 10ns |
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