CY7C1062GE30-10BGXIT Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 119-Pin PBGA T/R
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Technische Details CY7C1062GE30-10BGXIT Infineon Technologies
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 512kx32bit, Access time: 10ns, Case: PBGA119, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 2.2...3.6V DC.
Weitere Produktangebote CY7C1062GE30-10BGXIT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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CY7C1062GE30-10BGXIT | Hersteller : Cypress Semiconductor Corp |
Description: IC SRAM 16M PARALLEL 119PBGA |
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CY7C1062GE30-10BGXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM ASYNC |
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| CY7C1062GE30-10BGXIT | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 10ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.2...3.6V DC |
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