D2SB60 Taiwan Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 1.68 EUR |
| 10+ | 0.89 EUR |
| 100+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1200+ | 0.43 EUR |
| 2400+ | 0.4 EUR |
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Technische Details D2SB60 Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 2 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote D2SB60 nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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D2SB60 | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBLPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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| D2SB60 |
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