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DB102-G

DB102-G Comchip Technology

qw-bbr9420db101-g20thru.20db107-g20reva.pdf Hersteller: Comchip Technology
Rectifier Bridge Diode Single 100V 1A 4-Pin Case DB Tube
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Technische Details DB102-G Comchip Technology

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DB102-G DB102-G Hersteller : Comchip Technology DB101-G Thru318941. DB107-G RevC.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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DB102-G DB102-G Hersteller : Comchip Technology QW-BBR94 DB101-G Thru. DB107-G RevA.pdf Bridge Rectifiers VR=100V, IO=1A
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DB102G Hersteller : GeneSiC Semiconductor db103g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 1A 4-Pin Case DB
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DB102G Hersteller : GeneSiC Semiconductor db101g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
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DB102G DB102G Hersteller : GeneSiC Semiconductor db102g.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A 100P/70
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