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DB107-G

DB107-G Comchip Technology

QW_BBR94_DB101_G_Thru._DB107_G_RevA.pdf
Hersteller: Comchip Technology
Bridge Rectifiers VR=1000V, IO=1A
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Technische Details DB107-G Comchip Technology

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB, Packaging: Tube, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DB107G DB107G GeneSiC Semiconductor db107g.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V1A1000P/700
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DB107G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V1A1000P/700
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