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DDA114EK-7-F

DDA114EK-7-F Diodes Incorporated


ds30349-85112.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - Pre-Biased 300MW 10KW 10KW
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Technische Details DDA114EK-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-26.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DDA114EK-7-F DDA114EK-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30349.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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DDA114EK-7-F DDA114EK-7-F Hersteller : Diodes Incorporated Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-26
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