DDA123JU-7-F Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.099 EUR |
| 6000+ | 0.089 EUR |
| 9000+ | 0.084 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DDA123JU-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DDA123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DDA123JU-7-F nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DDA123JU-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
DDA123JU-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDA123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
DDA123JU-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDA123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| DDA123JU-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 2.2K 47K |
auf Bestellung 5375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
||||||||||||||
| DDA123JU-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT363 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
| DDA123JU-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT363 |
Produkt ist nicht verfügbar |