DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 24+ | 54.88 EUR |
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Technische Details DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 500A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 960mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 26Pins, Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DDB6U50N16W1RBPSA1 nach Preis ab 66.48 EUR bis 95.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DDB6U50N16W1RBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDB6U50N16W1RBPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 500A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 960mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 26Pins Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDB6U50N16W1RBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDB6U50N16W1RBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDB6U50N16W1RBPSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.6kV Collector current: 50A Case: AG-EASY1B Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: TRENCHSTOP™ Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DDB6U50N16W1RBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005578338 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DDB6U50N16W1RBPSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.6kV Collector current: 50A Case: AG-EASY1B Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: TRENCHSTOP™ Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |