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DDC114EH-7

DDC114EH-7 Diodes Zetex


35999852276939488ds30421.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details DDC114EH-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DDC114EH-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DDC114EH-7 DDC114EH-7 Hersteller : Diodes Zetex 35999852276939488ds30421.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
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DDC114EH-7 DDC114EH-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds30421.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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DDC114EH-7 DDC114EH-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds30421.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 10K
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DDC114EH-7 DDC114EH-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000772450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDC114EH-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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DDC114EH-7 DDC114EH-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000772450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDC114EH-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DDC114EH-7 DDC114EH-7 Hersteller : Diodes Zetex 35999852276939488ds30421.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
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DDC114EH-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30421.pdf DDC114EH-7 NPN SMD transistors
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DDC114EH-7 DDC114EH-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds30421.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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