Technische Details DDC114EU-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DDC114EU-7-F nach Preis ab 0.051 EUR bis 0.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DDC114EU-7-F | Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
auf Bestellung 945000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 |
auf Bestellung 2021 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Diodes Incorporated |
Digital Transistors DUAL NPN 200mW |
auf Bestellung 3979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
auf Bestellung 946259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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DDC114EU-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.052 EUR |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.052 EUR |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.052 EUR |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.052 EUR |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1520+ | 0.097 EUR |
| 3000+ | 0.051 EUR |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1520+ | 0.097 EUR |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 945000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.099 EUR |
| 6000+ | 0.089 EUR |
| 9000+ | 0.084 EUR |
| 15000+ | 0.078 EUR |
| 21000+ | 0.074 EUR |
| 30000+ | 0.071 EUR |
| 75000+ | 0.064 EUR |
| 150000+ | 0.059 EUR |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 334+ | 0.21 EUR |
| 527+ | 0.14 EUR |
| 799+ | 0.09 EUR |
| 1003+ | 0.071 EUR |
| 1102+ | 0.065 EUR |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Digital Transistors DUAL NPN 200mW
Digital Transistors DUAL NPN 200mW
auf Bestellung 3979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 0.42 EUR |
| 11+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.16 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.088 EUR |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 946259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 38+ | 0.48 EUR |
| 61+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DDC114EU-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






