DDC114EU-7-F Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 945000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.099 EUR |
| 6000+ | 0.089 EUR |
| 9000+ | 0.084 EUR |
| 15000+ | 0.078 EUR |
| 21000+ | 0.074 EUR |
| 30000+ | 0.071 EUR |
| 75000+ | 0.064 EUR |
| 150000+ | 0.059 EUR |
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Technische Details DDC114EU-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DDC114EU-7-F nach Preis ab 0.035 EUR bis 0.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DDC114EU-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Power dissipation: 0.2W Quantity in set/package: 3000pcs. Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Power dissipation: 0.2W Quantity in set/package: 3000pcs. |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
auf Bestellung 946259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 200mW |
auf Bestellung 3664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDC114EU-7-F | Hersteller : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |