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DDTC115EE-7-F

DDTC115EE-7-F Diodes Incorporated

ds30313.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Digital Transistors 150MW 100K100K
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Technische Details DDTC115EE-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-523, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DDTC115EE-7-F Hersteller : DIODES/ZETEX ds30313.pdf NPN 50V 100mA 250MHz 150mW DDTC115EE-7-F Diodes TDDTC115ee
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DDTC115EE-7-F DDTC115EE-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30313.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 20mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
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DDTC115EE-7-F DDTC115EE-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30313.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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DDTC115EE-7-F DDTC115EE-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30313.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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