DDTD113ZC-7-F Diodes Zetex
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Technische Details DDTD113ZC-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DDTDxC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.
Weitere Produktangebote DDTD113ZC-7-F nach Preis ab 0.065 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DDTD113ZC-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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DDTD113ZC-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DDTD113ZC-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDTD113ZC-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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DDTD113ZC-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Digital Transistors 200MW 1K 10K |
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DDTD113ZC-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DDTDxC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
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DDTD113ZC-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DDTDxC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
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| DDTD113ZC-7-F | Hersteller : Diodes INC. |
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 200; hFE = 56; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 2,5 мА; Р, Вт = 0,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SOT-23-3 |
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DDTD113ZC-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DDTD113ZC-7-F | Hersteller : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DDTD113ZC-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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