Produkte > DIODES ZETEX > DDTD113ZC-7-F
DDTD113ZC-7-F

DDTD113ZC-7-F Diodes Zetex

ds30384.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 471000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DDTD113ZC-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DDTDxC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Weitere Produktangebote DDTD113ZC-7-F nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6264000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.06 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.05 EUR
75000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1150+0.13 EUR
1162+0.12 EUR
1235+0.11 EUR
1891+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6265722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+0.40 EUR
71+0.25 EUR
114+0.16 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
367+0.40 EUR
517+0.28 EUR
565+0.24 EUR
1150+0.11 EUR
1235+0.10 EUR
1891+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 367
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Digital Transistors 200MW 1K 10K
auf Bestellung 44690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.51 EUR
10+0.34 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.10 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Hersteller : DIODES INC. DDTD_XXXX_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DDTDxC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Hersteller : DIODES INC. DDTD_XXXX_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DDTDxC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F Hersteller : Diodes INC. DDTD_XXXX_C.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 200; hFE = 56; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 2,5 мА; Р, Вт = 0,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SOT-23-3
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+0.40 EUR
17+0.34 EUR
100+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED DDTD_XXXX_C.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTD113ZC-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED DDTD_XXXX_C.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH