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DE275-201N25A IXYS RF

Hersteller: IXYS RF
Description: IXYS RF - DE275-201N25A - HF-FET-Transistor, 200 V, 25 A, 590 W, 100 MHz, DE-275
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 25
Verlustleistung Pd: 590
Betriebsfrequenz, max.: 100
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-275
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

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Technische Details DE275-201N25A IXYS RF

Description: IXYS RF - DE275-201N25A - HF-FET-Transistor, 200 V, 25 A, 590 W, 100 MHz, DE-275, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 25, Verlustleistung Pd: 590, Betriebsfrequenz, max.: 100, Betriebsfrequenz, min.: -, Bauform - HF-Transistor: DE-275, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).