DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Infineon Technologies
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Technische Details DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB53BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 IGBT Modules Low Power |
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DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
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DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
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DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
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DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB53BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP001629710 |
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