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DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 Infineon Technologies


infineon-df17mr12w1m1hf_b68-datasheet-v00_10-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 22-Pin Tray
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Technische Details DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +20V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 800 V.

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DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-df17mr12w1m1hf_b68-datasheet-v00_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 22-Pin Tray
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Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 800 V
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DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_DF17MR12W1M1HF_B68_DataSheet_v00_10_EN-3107537.pdf Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
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