DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
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| 1+ | 119.61 EUR |
| 10+ | 108.42 EUR |
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Technische Details DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Booster, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Booster, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 21Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Booster, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Booster euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 21Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: EASY STANDARD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 3 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA |
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