DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1040W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 160.34 EUR |
| 10+ | 133.94 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1040W MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1040 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DF200R12KE3HOSA1 nach Preis ab 155.23 EUR bis 176.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1040W 5-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
DF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 1040W MODULEPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1040 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
|
|
DF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1040000mW Automotive 5-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
|
DF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1040W 5-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
|
DF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1040W 5-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
