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DF200R12KE3HOSA1

DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Infineon-DF200R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431ab75550c Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1040W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 1040W MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1040 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.

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DF200R12KE3HOSA1 DF200R12KE3HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-DF200R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431ab75550c Description: IGBT MODULE 1200V 1040W MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
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DF200R12KE3HOSA1 DF200R12KE3HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies db_df200r12ke3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1040000mW Automotive 5-Pin 62MM-1 Tray
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