DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon
Hersteller: Infineon
DF200R12W1H3B27BOMA1 IGBT Module 2 Independent 1200 V 30 A 375 W Chassis Mount Module Мікросхеми електроживлення
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Technische Details DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon
Description: IGBT MOD 1200V 30A 375W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 375 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DF200R12W1H3B27BOMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DF200R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 30A 375W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 375 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V |
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Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DF200R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
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| DF200R12W1H3B27BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; 375W Case: AG-EASY1B-2 Gate-emitter voltage: ±20V Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 375W |
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DF200R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 375W 11-Pin EASY1B-2 Tray |
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| DF200R12W1H3B27BOMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 30A 375W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 375 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 30A 375W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 375 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
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| DF200R12W1H3B27BOMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules EASY STANDARD
IGBT Modules EASY STANDARD
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| DF200R12W1H3B27BOMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; 375W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 375W
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; 375W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 375W
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| DF200R12W1H3B27BOMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 375W 11-Pin EASY1B-2 Tray
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