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DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon

Infineon-DF200R12W1H3_B27-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d4614546039901456441be013fad
Hersteller: Infineon
IGBT Module 2 Independent 1200 V 30 A 375 W Chassis Mount Module Мікросхеми електроживлення
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Technische Details DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon

Description: IGBT MOD 1200V 30A 375W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 375 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DF200R12W1H3B27BOMA1 DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R12W1H3_B27-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d4614546039901456441be013fad Description: IGBT MOD 1200V 30A 375W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 375 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
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DF200R12W1H3B27BOMA1 DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies Infineon_DF200R12W1H3_B27_DataSheet_v03_00_JA-3161869.pdf IGBT Modules EASY STANDARD
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DF200R12W1H3B27BOMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 30A 375W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 375 W
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