DF23MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 25A AG-EASY1B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 133.50 EUR |
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Technische Details DF23MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: EasyPACK CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote DF23MR12W1M1PB11BPSA1 nach Preis ab 143.26 EUR bis 178.57 EUR
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DF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25A AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 Part Status: Obsolete |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: EasyPACK CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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