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DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-DF4-19MR20W3M1HF_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401833b4361e55669 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA
Supplier Device Package: AG-EASY3B
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Technische Details DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B, Packaging: Tray, Part Status: Active, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA, Supplier Device Package: AG-EASY3B.

Weitere Produktangebote DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 nach Preis ab 705.25 EUR bis 778 EUR

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DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_DF4_19MR20W3M1HF_B11_DataSheet_v01_00_JA-3161784.pdf Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD PLUS
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DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Hersteller : INFINEON 3795132.pdf Description: INFINEON - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 20mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
hazardous: true
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-df4-19mr20w3m1hf_b11-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 50A 40-Pin Tray
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