DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA
Supplier Device Package: AG-EASY3B
Part Status: Active
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Technische Details DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA, Supplier Device Package: AG-EASY3B, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 nach Preis ab 411.55 EUR bis 670.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module
Discrete Semiconductor Modules 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 434 EUR |
| 8+ | 411.55 EUR |
| DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 670.98 EUR |
| 5+ | 610.59 EUR |