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Technische Details DF80R07W1H5FPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 40A AG-EASY1B-2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.72V @ 15V, 20A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-EASY1B-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 12 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DF80R07W1H5FPB11BPSA1 nach Preis ab 37.01 EUR bis 50.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 650V 40A AG-EASY1B-2Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.72V @ 15V, 20A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 12 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V |
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DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 80 A booster IGBT module |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V IGBT Module |
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