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Technische Details DF80R07W1H5FPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF80R07W1H5FPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4, Dauer-Kollektorstrom: 40, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], DC-Kollektorstrom: 40, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote DF80R07W1H5FPB11BPSA1 nach Preis ab 44.04 EUR bis 142.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 650V 40A AG-EASY1B-2Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.72V @ 15V, 20A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 12 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 80 A booster IGBT module |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DF80R07W1H5FPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 Dauer-Kollektorstrom: 40 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4 Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DF80R07W1H5FPB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 40A AG-EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.72V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 12 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 650V 40A AG-EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.72V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 12 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 58.83 EUR |
| DF80R07W1H5FPB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 650 V, 80 A booster IGBT module
IGBT Modules 650 V, 80 A booster IGBT module
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 59.64 EUR |
| 10+ | 44.04 EUR |
| DF80R07W1H5FPB11BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DF80R07W1H5FPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Dauer-Kollektorstrom: 40
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - DF80R07W1H5FPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Dauer-Kollektorstrom: 40
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 142.24 EUR |
| 5+ | 125.24 EUR |