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Technische Details DF80R12W2H3B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 190W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Dual Boost Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, NTC Thermistor: Yes, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 190 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DF80R12W2H3B11BOMA1 nach Preis ab 65.29 EUR bis 65.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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| DF80R12W2H3B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MODULE 1200V 50A 190WPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Dual Boost Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A NTC Thermistor: Yes Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 190 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V |
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